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产品概述
TMR2102线性磁传感器采用了一个独特的推挽式惠斯通全桥结构设计,属于多维MDT线性磁传感器系列产品。TMR2102线性磁传感器包含四个非屏蔽高灵敏度TMR传感器元件。当外加磁场沿平行于传感器敏感方向变化时,惠斯通全桥提供差分电压输出,并且该输出具有良好的温度稳定性,性能优越,授权于晶圆电子国内一级代理商。TMR2102线性磁传感器采用两种封装形式:SOP8(6mm×5mm×1.5mm)和DFN8(3mm×3mm×0.75mm)。
产品特性
l 隧道磁电阻(TMR)技术
l 高灵敏度
l 宽动态范围
l 低功耗
l 优越的温度稳定性
l 极低的磁滞
l 宽工作电压范围
典型输出曲线
下图列出了 TMR2102 传感器输出随外加磁场强度变化(外加磁场±30Oe、±200Oe,激励电源 1V)的典型曲线。
典型应用
磁力计
电流传感器
角度传感器
位置传感器
